DMP3007LK3-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details DMP3007LK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMP3007LK3-13 nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP3007LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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DMP3007LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V |
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DMP3007LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3007LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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