DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Weitere Produktangebote DMP3008SFGQ-13 nach Preis ab 0.86 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMP3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A |
auf Bestellung 8753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3008SFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3008SFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 3000+ | 0.86 EUR |
| DMP3008SFGQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.46 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| DMP3008SFGQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.47 EUR |
| 10+ | 2.21 EUR |
| 100+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| DMP3008SFGQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.12 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |