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Technische Details DMP3010LK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.
Weitere Produktangebote DMP3010LK3-13 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A Power dissipation: 1.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A Power dissipation: 1.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K |
auf Bestellung 19359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V |
auf Bestellung 106991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
auf Bestellung 2306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DMP3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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