DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.60 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| 7500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP3010LK3Q-13 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs |
auf Bestellung 6738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 100372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP3010LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMP3010LK3Q-13 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |