DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 25+ | 1.84 EUR |
| 50+ | 1.63 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
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Technische Details DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMP3010LPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS |
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| DMP3010LPS-13 |
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MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS
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