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DMP3011SSS-13

DMP3011SSS-13 Diodes Zetex

dmp3011sss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Technische Details DMP3011SSS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3011SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
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DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3011SSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K
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DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3011SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
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DMP3011SSS-13 Hersteller : Diodes Inc dmp3011sss.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V SO-8 T&R 2.5K
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DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3011sss.pdf 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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