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DMP3035SFG-7
DMP3035SFG-7
DMP3035SFG-7DMP3035SFG-7

DMP3035SFG-7 DIODES INCORPORATED

DMP3035SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -70A; 2.3W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 35.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+1.19 EUR
97+0.88 EUR
119+0.71 EUR
234+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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Technische Details DMP3035SFG-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Weitere Produktangebote DMP3035SFG-7 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated DMP3035SFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2
auf Bestellung 4127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.98 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated DMP3035SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007085182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
215+1.08 EUR
332+0.64 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007085182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
215+1.08 EUR
332+0.64 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2
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Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Description: DIODES INC. - DMP3035SFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.015 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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