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Technische Details DMP3048LSD-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -35A, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 29.6nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -3.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: SO8, On-state resistance: 80mΩ.
Weitere Produktangebote DMP3048LSD-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMP3048LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8 Mounting: SMD Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 1.7W Gate charge: 29.6nC Polarisation: unipolar Drain current: -3.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 80mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP3048LSD-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 29.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 80mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 29.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
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