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Technische Details DMP3056LDM-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote DMP3056LDM-7 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.94 EUR
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; Idm: -13A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; Idm: -13A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Channel 1.25W |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
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DMP3056LDM-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R |
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