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DMP3056LDM Diodes Incorporated

1915889-datasheet.pdf
Produktcode: 105511
Hersteller: Diodes Incorporated
Gehäuse: SOT-26
Uds,V: 30
Id,A: 4.3
Rds(on),Om: 45 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 948
/: SMD
auf Bestellung 6 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3056LDM DMP3056LDM Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP3056LDM DMP3056LDM Hersteller : DIODES INC. DIODS15633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
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DMP3056LDM DMP3056LDM Hersteller : Diodes Incorporated MOSFETs
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 258 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 18.05.2025
Anzahl Preis
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10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
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IRF5800TR
Produktcode: 37265
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irf5800-datasheet.pdf
IRF5800TR
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 299 Stück
12 Stück - stock Köln
287 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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1N5248B
Produktcode: 29776
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1n5221b-d.pdf
1N5248B
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: -
Pmax: 0,5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.085%/°C
auf Bestellung 290 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5938 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
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IRF7319PBF
Produktcode: 24016
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description irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
IRF7319PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 109 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH