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DMP3056LDM Diodes Incorporated


1915889-datasheet.pdf
Produktcode: 105511
Hersteller: Diodes Incorporated
Gehäuse: SOT-26
Uds,V: 30
Id,A: 4.3
Rds(on),Om: 45 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 948
/: SMD
auf Bestellung 6 Stück:

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3056LDM DMP3056LDM Hersteller : DIODES INC. DIODS15633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMP3056LDM DMP3056LDM Hersteller : DIODES INC. DIODS15633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 461 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.16 EUR
100+ 0.12 EUR
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Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
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1n5221b-d.pdf
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Hersteller: YJ
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Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: -
Pmax: 0,5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.085%/°C
auf Bestellung 448 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13508 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
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Produktcode: 24016
description irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
IRF7319PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR