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DMP3056LSDQ-13

DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated

DMP3056LSDQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 50000 Stücke:
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2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 936 Stücke:
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272+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 272
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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328+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 328
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
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328+0.55 EUR
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145037_1-2542511.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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10+1.01 EUR
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1000+0.55 EUR
2500+0.51 EUR
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3056LSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
18+1.03 EUR
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500+0.60 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1913 Stücke:
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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DMP3056LSDQ-13 Hersteller : Diodes Inc 1561ds31420.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SO T/R
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3056LSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3056LSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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