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Technische Details DMP3098LDM-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP3098LDM-7 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS-SINGLE |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -14A Drain current: -3A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 0.115Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
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DMP3098LDM-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -14A; 1.25W; SOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -14A Drain current: -3A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 0.115Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape |
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