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Technische Details DMP3099L-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.08W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMP3099L-13 nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.56 EUR
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -10V -3.8A |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
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DMP3099L-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
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DMP3099L-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMP3099L-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
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