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DMP3099L-7

DMP3099L-7 Diodes Zetex

dmp3099l.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMP3099L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.08W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp3099l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3099L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C34B675D10C749&compId=DMP3099L.pdf?ci_sign=3645c9ff0c150bade94f6786c287b721664648c3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.08W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
228+0.31 EUR
421+0.17 EUR
578+0.12 EUR
670+0.11 EUR
1069+0.07 EUR
1132+0.06 EUR
1177+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C34B675D10C749&compId=DMP3099L.pdf?ci_sign=3645c9ff0c150bade94f6786c287b721664648c3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.08W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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auf Bestellung 503 Stücke:
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auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 427
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3099L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3099L.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -20V -3.8A
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13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013121244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13045 Stücke:
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013121244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP3099L-7 DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Inc dmp3099l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMP3099L-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMP3099L.pdf P-MOSFET 30V 3.8A 65mΩ 1.08W DMP3099L-7 Diodes TDMP3099l
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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DMP3099L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3099L.pdf SOT23 MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 90 Stücke:
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