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DMP3165L-7

DMP3165L-7 Diodes Incorporated

DMP3165L.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
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Technische Details DMP3165L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.

Weitere Produktangebote DMP3165L-7 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP3165L-7 DMP3165L-7 Diodes Incorporated DMP3165L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.36 EUR
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3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMP3165L-7 DMP3165L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004567340-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
365+0.63 EUR
479+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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DMP3165L-7 DMP3165L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004567340-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
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DMP3165L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Verlustleistung: 800mW
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
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Description: DIODES INC. - DMP3165L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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