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DMP32D4SFB-7B

DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated

DMP32D4SFB.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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Technische Details DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm.

Weitere Produktangebote DMP32D4SFB-7B nach Preis ab 0.056 EUR bis 0.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP32D4SFB-7B DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated DMP32D4SFB.pdf MOSFETs 30V P-CH MOSFET
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DMP32D4SFB-7B DMP32D4SFB-7B DIODES INC. DIODS16009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
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DMP32D4SFB-7B DMP32D4SFB-7B DIODES INC. DIODS16009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 4752 Stücke:
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258+0.96 EUR
407+0.57 EUR
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DMP32D4SFB-7B Diodes Zetex dmp32d4sfb.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.5A 3-Pin X1-DFN T/R
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1656+0.1 EUR
1761+0.095 EUR
2146+0.076 EUR
2273+0.07 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP32D4SFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 400 mA, 2.4 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
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DMP32D4SFB-7B dmp32d4sfb.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 0.5A 3-Pin X1-DFN T/R
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