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DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex

dmp4013lfgq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004564640_1-2542752.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP4013LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMP4013LFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMP4013LFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Inc dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp4013lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP4013LFGQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP4013LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMP4013LFGQ-7 DMP4013LFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP4013LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMP4013LFGQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP4013LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
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