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Technische Details DMP4013SPS-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 67nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -244A, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -9A, On-state resistance: 23mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 3.4W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP4013SPS-13 nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP4013SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 2341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP4013SPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
High Enhancement Mode MOSFET |
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DMP4013SPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
High Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP4013SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMP4013SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP4013SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar |
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