DMP4015SPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
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Technische Details DMP4015SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMP4015SPS-13 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMP4015SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W Case: PowerDI®5060-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.7A On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 5236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMP4015SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 79+ | 0.91 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.63 EUR |
| 10+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 2500+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.47 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.88 EUR |
| 15+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)