DMP4015SPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
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Technische Details DMP4015SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Weitere Produktangebote DMP4015SPS-13 nach Preis ab 0.43 EUR bis 4.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMP4015SPS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W Mounting: SMD Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Drain current: -8.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI®5060-8 On-state resistance: 15mΩ |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 5236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4015SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.31 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| 10000+ | 0.69 EUR |
| 15000+ | 0.56 EUR |
| 20000+ | 0.43 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.32 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
On-state resistance: 15mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.71 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 120+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2500+ | 0.61 EUR |
| 5000+ | 0.56 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.24 EUR |
| 15+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 4.47 EUR |
| 106+ | 2.21 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| DMP4015SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: DIODES INC. - DMP4015SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.47 EUR |
| 106+ | 2.21 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |