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DMP4025LK3Q-13

DMP4025LK3Q-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0011090780_1-2543771.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R 2.5K
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Technische Details DMP4025LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP4025LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.6 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMP4025LK3Q-13 DMP4025LK3Q-13 Hersteller : DIODES INC. DMP4025LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMP4025LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.6 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP4025LK3Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP4025LK3Q.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
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