DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.59 EUR |
| 5000+ | 0.57 EUR |
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Technische Details DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMP4025LSD-13 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP4025LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A |
auf Bestellung 32732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4025LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 9881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4025LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP4025LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Unclassified Description: DMP4025LSD-13 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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