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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13 Diodes Incorporated

DMP45H150DHE.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 67500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
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Technische Details DMP45H150DHE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMP45H150DHE-13 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP45H150DHE-13 DMP45H150DHE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145144_1-2542587.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
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DMP45H150DHE-13 DMP45H150DHE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP45H150DHE.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 67605 Stücke:
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Anzahl Preis
17+1.09 EUR
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DMP45H150DHE-13 DMP45H150DHE-13 Hersteller : DIODES INC. DMP45H150DHE.pdf Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP45H150DHE-13 DMP45H150DHE-13 Hersteller : DIODES INC. DMP45H150DHE.pdf Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP45H150DHE-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP45H150DHE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -200mA; Idm: -0.45A; 13.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Pulsed drain current: -0.45A
Power dissipation: 13.9W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 150Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.8nC
Drain current: -200mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP45H150DHE-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP45H150DHE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -200mA; Idm: -0.45A; 13.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Pulsed drain current: -0.45A
Power dissipation: 13.9W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 150Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.8nC
Drain current: -200mA
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