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DMP56D0UV-7

DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated

DMP56D0UV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA
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Technische Details DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP56D0UV-7 DMP56D0UV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP56D0UV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
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DMP56D0UV-7 DMP56D0UV-7 Hersteller : DIODES INC. DMP56D0UV.pdf Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1518 Stücke:
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DMP56D0UV-7 DMP56D0UV-7 Hersteller : DIODES INC. DMP56D0UV.pdf Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP56D0UV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP56D0UV.pdf DMP56D0UV-7 SMD P channel transistors
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DMP56D0UV-7 DMP56D0UV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP56D0UV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
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