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DMP6023LFG-13

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DMP6023LFG-13 DMP6023LFG-13 Diodes Zetex dmp6023lfg.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP6023LFG-13 DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated DMP6023LFG.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
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DMP6023LFG-13 DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated DMP6023LFG.pdf MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 1210
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Hersteller: Hitano
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Nennwert: 43 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn.,W: 1/16 W
U Betriebs.,V: 50 V
Größe Typ: 0402
Temperatur: -55...+155°C
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Hersteller: Samsung
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Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
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1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Produktcode: 34650
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Beschreibung: Kontakt; "Buchse"; 0.03 ÷ 0.08mm2; PicoBlade; verzinnt; Crimp
Steckverbinder-Serie: Kontakte für NX1251
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