DMP6110SSS-13


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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DIODS21558_1-2541838.pdf MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
auf Bestellung 17349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.93 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
auf Bestellung 17274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.94 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 DIODES INC. DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
203+1.14 EUR
337+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 DIODES INC. DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
203+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Zetex dmp6110sss.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Zetex dmp6110sss.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
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DMP6110SSS-13 DIODS21558_1-2541838.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
auf Bestellung 17349 Stücke:
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10+0.93 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
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DMP6110SSS-13 DMP6110SSS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
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DMP6110SSS-13 DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP6110SSS-13 DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
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203+1.14 EUR
337+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
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MMPQ3904
Produktcode: 135605
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