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MMPQ3904

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Hersteller:
SOIC-16
NPN Multi-chip general purpose amplifier
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 MMPQ3904 ON Semiconductor ffb3904-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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51+3.47 EUR
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MMPQ3904 MMPQ3904 ONSEMI 2304080.pdf Description: ONSEMI - MMPQ3904 - Bipolares Transistor-Array, Vierfach-NPN, 40 V, 200 mA, 1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach-NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2435 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMPQ3904 MMPQ3904 ONSEMI 2304080.pdf Description: ONSEMI - MMPQ3904 - Bipolares Transistor-Array, Vierfach-NPN, 40 V, 200 mA, 1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach-NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2480 Stücke:
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MMPQ3904 FAIRCHILD ffb3904-d.pdf 09+
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MMPQ3904 MMPQ3904 onsemi ffb3904-d.pdf Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 200MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 107500 Stücke:
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2500+1.52 EUR
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MMPQ3904 MMPQ3904 onsemi ffb3904-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 16-SOIC NPN
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MMPQ3904 MMPQ3904 onsemi ffb3904-d.pdf Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 200MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
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MMPQ3904 ffb3904-d.pdf
MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 ffb3904-d.pdf
MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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2500+1.5 EUR
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MMPQ3904 ffb3904-d.pdf
MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPrivatkunde
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MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
77+2.28 EUR
89+1.93 EUR
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102+1.55 EUR
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MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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10000+1.75 EUR
100000+1.44 EUR
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MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 11115 Stücke:
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500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.75 EUR
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MMPQ3904
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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MMPQ3904 2304080.pdf
MMPQ3904
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMPQ3904 - Bipolares Transistor-Array, Vierfach-NPN, 40 V, 200 mA, 1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach-NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMPQ3904 2304080.pdf
MMPQ3904
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMPQ3904 - Bipolares Transistor-Array, Vierfach-NPN, 40 V, 200 mA, 1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach-NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: FAIRCHILD
09+
auf Bestellung 50018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMPQ3904
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 200MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.52 EUR
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MMPQ3904
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16-SOIC NPN
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+3.27 EUR
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MMPQ3904
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 4NPN QUAD 40V 200MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
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IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung 194 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 Stk./b.)
Produktcode: 73458
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K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 Stk./b.)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AC
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
verfügbar: 1980 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
    10+0.036 EUR
    100+0.02 EUR
    1000+0.013 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    180 Ohm 5% 5W bedrahtet (MOR500SJTB-180R-Hitano) (Metalloxid)
    Produktcode: 50081
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    		MOR_080911.pdf
    180 Ohm 5% 5W bedrahtet (MOR500SJTB-180R-Hitano) (Metalloxid)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande THT > Widerstande THT - 5W (außer Zement-)
    Nennwert: 180 Ohm
    Toleranz: ±5%
    Nennleistung: 5 W
    Betriebsspannung: 700 V
    Abmessungen: 17,0x6,0mm; Anschluss-D=0,76 mm
    Typ: Metalloxid
    verfügbar: 375 St.
    • 40 St. - stock Köln
    • 335 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.14 EUR
    10+0.13 EUR
    100+0.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3710PBF
    Produktcode: 43009
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
    IRF3710PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 57 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
    Montage: THT
    verfügbar: 353 St.
    • 5 St. - stock Köln
    • 348 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.86 EUR
    10+0.83 EUR
    100+0.82 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 25121
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    BCX41E6327 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: Infineon
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 100 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 125 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 125 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
    Stromverstärkung h21: 40
    Montage: SMD
    auf Bestellung 872 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.12 EUR
    10+0.11 EUR
    100+0.095 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH