Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > IRF5210PBF
IRF5210PBF

IRF5210PBF

irf5210pbf-221443.pdf
Produktcode: 113380
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung: 194 St.
  • 194 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.64 EUR
10+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF5210PBF nach Preis ab 1.31 EUR bis 7.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.96 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.38 EUR
10000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.42 EUR
54+3.24 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
40+2.18 EUR
50+1.99 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.42 EUR
1250+1.38 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.92 EUR
100+3.5 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.92 EUR
100+3.43 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.42 EUR
2000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 10610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
66+3.55 EUR
100+2.87 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
50+3.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.39 EUR
5000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.63 EUR
50+3.82 EUR
100+3.39 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.49 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.66 EUR
50+3.76 EUR
100+3.28 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.31 EUR
2000+2.07 EUR
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+2.96 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.38 EUR
10000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.42 EUR
54+3.24 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
40+2.18 EUR
50+1.99 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.42 EUR
1250+1.38 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.92 EUR
100+3.5 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.92 EUR
100+3.43 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.42 EUR
2000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 10610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.15 EUR
66+3.55 EUR
100+2.87 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.35 EUR
50+3.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.39 EUR
5000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.63 EUR
50+3.82 EUR
100+3.39 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.49 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.66 EUR
50+3.76 EUR
100+3.28 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.31 EUR
2000+2.07 EUR
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRF3205PBF
Produktcode: 25094
17 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1237 St.
  • 1237 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF
Produktcode: 43009
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 348 St.
  • 348 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5242B
Produktcode: 45548
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N5231B.pdf
1N5242B
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: -
Verlustleistung Pd, W: 0,5 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,077%/°C
verfügbar: 490 St.
  • 490 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1304 St.
  • 1304 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.071 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2927
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 153 St.
  • 153 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.43 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2971
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1176 St.
  • 1176 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.21 EUR
10+0.19 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH