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IRF5210PBF

IRF5210PBF

irf5210pbf-221443.pdf
Produktcode: 113380
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
erwartet: 30 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
122+1.4 EUR
124+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82610 Stücke:
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53+3.33 EUR
75+2.24 EUR
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500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.38 EUR
54+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
40+2.18 EUR
50+1.99 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.42 EUR
1250+1.38 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.97 EUR
60+2.83 EUR
109+1.49 EUR
110+1.42 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
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35+4.97 EUR
60+2.9 EUR
109+1.55 EUR
110+1.5 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 10461 Stücke:
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100+2.39 EUR
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IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
64+3.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 10977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
50+3.72 EUR
100+3.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82602 Stücke:
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+2.14 EUR
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10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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53+3.33 EUR
75+2.24 EUR
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124+1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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35+2.5 EUR
40+2.18 EUR
50+1.99 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.42 EUR
1250+1.38 EUR
2000+1.31 EUR
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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35+4.97 EUR
60+2.83 EUR
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110+1.42 EUR
500+1.34 EUR
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
35+4.97 EUR
60+2.9 EUR
109+1.55 EUR
110+1.5 EUR
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 10461 Stücke:
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IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
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IRF5210PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
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10+4.82 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 4007 St.
  • 4007 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 344 St.
  • 344 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5242B
Produktcode: 45548
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1N5242B
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: -
Verlustleistung Pd, W: 0,5 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,077%/°C
verfügbar: 490 St.
  • 490 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1281 St.
  • 1281 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.071 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
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220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2927
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ECR_081225.pdf
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 148 St.
  • 148 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.43 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2971
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100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1156 St.
  • 1156 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.21 EUR
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100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
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