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IRF3710PBF

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Produktcode: 43009
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
27+2.67 EUR
59+1.22 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 27
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710PBF Hersteller : Infineon irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
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IRF 3710PBF Hersteller : IR 09+ TSOP
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF3710PBF IRF3710PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
verfügbar: 291 Stück
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220 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 20.07.2025
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10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5784 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2037 Stück
429 Stück - stock Köln
1608 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Produktcode: 6694
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EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9254 Stück
1978 Stück - stock Köln
7276 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Produktcode: 8246
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kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 35 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 20.07.2025
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