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IRF3710PBF

IRF3710PBF

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Produktcode: 43009
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44050 Stücke:
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.26 EUR
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IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 578 Stücke:
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30+2.43 EUR
44+1.64 EUR
55+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2000+0.83 EUR
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
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IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
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IRF3710PBF International Rectifier HiRel Products irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
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AnzahlPreis
30+2.43 EUR
44+1.64 EUR
55+1.31 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
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IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF 3710PBF
Hersteller: IR
09+ TSOP
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
verfügbar: 2698 St.
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erwartet: 40 St.
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    100+0.36 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBF
    Produktcode: 113380
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    		irf5210pbf-221443.pdf
    IRF5210PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 100 V
    Id,A: 40 A
    Rds(on),Om: 0,06 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
    /: THT
    auf Bestellung 194 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano)
    Produktcode: 3032
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    		EHR_081225.pdf
    470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 470uF
    Nennspannung: 25V
    Reihe: EHR
    Temp.Bereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 10x16mm
    Lebensdauer: 10х13mm
    № 8: 2000 годин
    8532 22 00 00
    verfügbar: 140 St.
    • 10 St. - stock Köln
    • 130 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 6010 St.
    • 6000 St. - erwartet
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    100+0.078 EUR
    1000+0.067 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    20 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-20R-Hitano)
    Produktcode: 11069
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    		CR-S_080911.pdf
    20 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-20R-Hitano)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
    Resistenz: 20 Ohm
    Präzision: ±5%
    P Nenn.,W: 0,25W
    U Betriebs.,V: 250V
    Typ: Ausfuhr. (S)
    Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
    verfügbar: 7295 St.
    • 1200 St. - stock Köln
    • 6095 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPreis
    10+0.01 EUR
    100+0.0056 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH