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IRF3710PBF

IRF3710PBF

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Produktcode: 43009
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 2188 Stücke:
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50+2.01 EUR
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IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 311 Stücke:
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47+5.4 EUR
72+3.22 EUR
107+2.01 EUR
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IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
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IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.33 EUR
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
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10+1.98 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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69+2.42 EUR
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129+1.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
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IRF 3710PBF
Hersteller: IR
09+ TSOP
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3955 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 54 St.
  • 54 St. - stock Köln
erwartet: 4002 St.
  • 2 St. - erwartet
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung: 187 St.
  • 187 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3032
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EHR_081225.pdf
470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x13 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 6000 St.
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20 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20R-Hitano)
Produktcode: 11069
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CR-S_080911.pdf
20 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-20R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 20 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
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