Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710PBF

IRF3710PBF Infineon Technologies

Name: IRF3710PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 75653107-3
Price: 462.82 EUR
Availability: InStock

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V

auf Bestellung 622489 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
317+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 317

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF3710PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IRF3710PBF nach Preis ab 0.8 EUR bis 5.82 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf3710-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
330+	1.65 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 43900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
330+	1.65 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.27 EUR
10000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
73+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
72+	2.01 EUR
137+	1.02 EUR
138+	0.98 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
27+	2.67 EUR
59+	1.22 EUR
80+	0.9 EUR
84+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
27+	2.67 EUR
59+	1.22 EUR
80+	0.9 EUR
84+	0.86 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
55+	2.67 EUR
80+	1.76 EUR
113+	1.2 EUR
200+	1.11 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 4814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
330+	1.65 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	5.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF 3710PBF

Hersteller : IR

09+ TSOP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3710PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf

MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH