IRF3710PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 144+ | 0.99 EUR |
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Technische Details IRF3710PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3710PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 57A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF3710PBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 41900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 572439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
auf Bestellung 10430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 25821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 57A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF 3710PBF | Hersteller : IR | 09+ TSOP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube |
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