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DMP6180SK3Q-13

DMP6180SK3Q-13 Diodes Zetex

27dmp6180sk3q.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMP6180SK3Q-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMP6180SK3Q-13 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.69 EUR
178+1.31 EUR
285+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1502 Stücke:
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178+1.31 EUR
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DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3Q.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 92669 Stücke:
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10+1.36 EUR
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500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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16+1.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMP6180SK3Q-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMP6180SK3Q-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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178+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6180SK3Q-13 DIOD-S-A0003132567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP6180SK3Q-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
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Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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178+1.31 EUR
285+0.75 EUR
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1000+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 92669 Stücke:
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10+1.36 EUR
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500+0.69 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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16+1.39 EUR
100+0.92 EUR
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