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DMP6250SE-13

DMP6250SE-13 Diodes Incorporated

DMP6250SE.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
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2500+0.46 EUR
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Technische Details DMP6250SE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMP6250SE-13 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP6250SE-13 DMP6250SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP6250SE.pdf MOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
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DMP6250SE-13 DMP6250SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP6250SE.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
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10+1.81 EUR
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DMP6250SE-13 DMP6250SE-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004140808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP6250SE-13 DMP6250SE-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004140808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP6250SE-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP6250SE.pdf DMP6250SE-13 SMD P channel transistors
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