DMP6250SE-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| 7500+ | 0.41 EUR |
| 12500+ | 0.39 EUR |
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Technische Details DMP6250SE-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 14W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm.
Weitere Produktangebote DMP6250SE-13 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMP6250SE-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs |
auf Bestellung 7304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6250SE-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 42323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6250SE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 14W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMP6250SE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 14W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP6250SE-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
MOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
auf Bestellung 7304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.11 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| DMP6250SE-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 42323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.81 EUR |
| 16+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| DMP6250SE-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
auf Bestellung 1546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP6250SE-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
auf Bestellung 1546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)