DMPH3010LK3-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.53 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| 12500+ | 0.5 EUR |
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Technische Details DMPH3010LK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH3010LK3-13 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.18 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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DMPH3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V |
auf Bestellung 41250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH3010LK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T and R 2.5K |
auf Bestellung 4486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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DMPH3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; Idm: -100A; 3.9W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 3.9W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMPH3010LK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; Idm: -100A; 3.9W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 3.9W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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