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DMPH4015SSS-13

DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated

DMPH4015SSS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote DMPH4015SSS-13 nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMPH4015SSS-13 DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSS.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 13640 Stücke:
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DMPH4015SSS-13 DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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DMPH4015SSS-13 DMPH4015SSS-13 DIODES INC. DMPH4015SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2418 Stücke:
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DMPH4015SSS-13 DMPH4015SSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003100889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DMPH4015SSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
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DMPH4015SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DMPH4015SSS-13 DIOD-S-A0003100889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4015SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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