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DMPH4025SFVWQ-13

DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated

DMPH4025SFVWQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Technische Details DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DIODES INC. DMPH4025SFVWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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104+2.24 EUR
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DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DIODES INC. DMPH4025SFVWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ.pdf
DMPH4025SFVWQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
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Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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DMPH4025SFVWQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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DMPH4025SFVWQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.97 EUR
104+2.24 EUR
148+1.45 EUR
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