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Technische Details DMPH6050SFG-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote DMPH6050SFG-7 nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| DMPH6050SFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V |
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| DMPH6050SFG-7 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI3333-8 T&R 2K |
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| DMPH6050SFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
DMPH6050SFG-7 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH6050SFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K |
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