DMPH6050SK3-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMPH6050SK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMPH6050SK3-13 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Case: TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -6A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Case: TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -6A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: |
auf Bestellung 90960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V |
auf Bestellung 22032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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