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DMPH6250SQ-13

DMPH6250SQ-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0005736626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6020 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
290+0.8 EUR
414+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
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Technische Details DMPH6250SQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 920mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMPH6250SQ-13 nach Preis ab 0.3 EUR bis 2.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005736626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
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5000+0.3 EUR
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated DMPH6250SQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.32 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated DMPH6250SQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
25+0.9 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DMPH6250SQ-13 Diodes DMPH6250SQ.pdf MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Транзистори
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3+2.55 EUR
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DMPH6250SQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Транзистори
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