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DMPH6250SQ-13

DMPH6250SQ-13 Diodes Zetex

dmph6250sq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMPH6250SQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 920mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph6250sq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005736626_1-2542716.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6250SQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005736626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005736626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmph6250sq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph6250sq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6250SQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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