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DMS2120LFWB-7

DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated


ds31667.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
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Technische Details DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -10A; 1.5W, Mounting: SMD, Case: W-DFN5020-6, Kind of package: reel; tape, Drain current: -2.9A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.5W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: -10A, Drain-source voltage: -20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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DMS2120LFWB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31667.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -10A; 1.5W
Mounting: SMD
Case: W-DFN5020-6
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMS2120LFWB-7 DMS2120LFWB-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31667-89058.pdf MOSFET 20V 2.9A P-CHANNEL
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DMS2120LFWB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31667.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -10A; 1.5W
Mounting: SMD
Case: W-DFN5020-6
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
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Kind of channel: enhanced
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