DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote DMT10H009SCG-7 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| DMT10H009SCG-7 | Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SCG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H009SCG-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.61 EUR |
| DMT10H009SCG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.8 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |