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DMT10H025LK3-13

DMT10H025LK3-13 Diodes Zetex

dmt10h025lk3.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMT10H025LK3-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645051_1-2542856.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 2222 Stücke:
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2+1.74 EUR
10+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
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DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006645051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2396 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006645051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
147+1.58 EUR
216+1 EUR
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DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3.pdf
DMT10H025LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
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Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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DMT10H025LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
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DMT10H025LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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147+1.58 EUR
216+1 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H025LK3-13 DIOD-S-A0006645051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H025LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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147+1.58 EUR
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1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3.pdf
DMT10H025LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4580 Stücke:
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10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
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