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DMT10H032SFVW-7

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Transistoren > MOSFET N-CH

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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Zetex dmt10h032sfvw.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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DMT10H032SFVW-7
Hersteller: Diodes Zetex
100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DMT10H032SFVW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Produktcode: 98326
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kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, bedrahtet, Mehrgang, Obeneinstellung
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83 mm
Montageart: Vertikal
Leistung: 0,5 Вт
Wirkmechanismus: Mehrgang
verfügbar: 73 St.
  • 73 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 06.10.2026
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Taste SWT-2/11 (KLS7-TS6601-11) h = 11mm
Produktcode: 47857
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SWT-2xx.JPG
Taste SWT-2/11 (KLS7-TS6601-11) h = 11mm
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Kurzhubtasten
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6x6 mm
Tastenhöhe, mm: 11 mm
Beschreibung: Taste OFF- (ON)
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
auf Bestellung: 701 St.
  • 701 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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CDRH127/LDNP-100MC (10uH, ±20%, Idc=6.7A, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 41270
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CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-100MC (10uH, ±20%, Idc=6.7A, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±20%, Idc=6,7A, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: CDRH127
Abmessungen: 12,3x12,3 mm, h=8,0 mm
Betriebsstrom, A: 6,7 A
Warennummer: 8504 50 20 90
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  • 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.87 EUR
100+0.77 EUR
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
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100+0.13 EUR
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330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.082 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.055 EUR
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