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DMT10H032SFVW-7


DMT10H032SFVW.pdf
Produktcode: 211752
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Transistoren > MOSFET N-CH

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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h032sfvw.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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4000+0.32 EUR
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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14+1.34 EUR
21+0.88 EUR
100+0.58 EUR
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DMT10H032SFVW-7 Hersteller : Diodes Inc DMT10H032SFVW.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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