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DMT10H032SFVW-7

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.34 EUR
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
auf Bestellung 3874 Stücke:
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15+1.23 EUR
21+0.87 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1749 Stücke:
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10+0.93 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
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2000+0.35 EUR
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DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW.pdf
DMT10H032SFVW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DMT10H032SFVW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
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DMT10H032SFVW-7 DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf
DMT10H032SFVW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Produktcode: 98326
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kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 167 St.
  • 73 St. - stock Köln
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erwartet: 1020 St.
  • 1000 St. - erwartet 06.10.2026
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Taste SWT-2/11 (KLS7-TS6601-11) h=11mm
Produktcode: 47857
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SWT-2xx.JPG
Taste SWT-2/11 (KLS7-TS6601-11) h=11mm
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6х6mm
Stammhöhe, mm: 7mm
Beschreibung: Taste OFF-(ON)
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
auf Bestellung 722 St.:
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CDRH127/LDNP-100MC (10uH, ±20%, Idc=6.7А, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Produktcode: 41270
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CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-100MC (10uH, ±20%, Idc=6.7А, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±20%, Idc=6.7А, Rdc max/typ=19.5/16 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, А: 6.7A
№ 7: 8504 50 20 90
auf Bestellung 681 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 St.:
AnzahlPreis
1+0.48 EUR
10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 1553 St.:
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10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (EXR331M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 260 St.
  • 250 St. - stock Köln
  • 10 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
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100+0.05 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH