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IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF

irlml5203pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 25596
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Anzahl Preis
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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5000+0.28 EUR
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML5203_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 2087 Stücke:
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23+0.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 23
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML5203TRPBF Hersteller : HXY MOSFET infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
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IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
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IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
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IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 148 St.
60 St. - stock Köln
88 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
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LTV817S-TA1 [C]
Produktcode: 31279
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ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Hersteller: Liteon
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 6
Ton/Toff, µs: 4/3
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
auf Bestellung 2292 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 St.:
10000 St. - erwartet 17.04.2026
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 29075 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS84
Produktcode: 187507
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bss84-d.pdf SOT23BSS84S0PD.pdf BSS84.pdf 5399_BSS84%20SOT-23.PDF UMW%20BSS84.pdf 5272_BSS84.pdf BSS84.pdf datasheet.php?part=BSS84
BSS84
Hersteller: UMW
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
/: SMD
auf Bestellung 3040 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54S
Produktcode: 151482
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jcsts02360-1-datasheet.pdf
BAT54S
Hersteller: JCST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 30 V
If(A): 0,4 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
auf Bestellung 2238 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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