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IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF

irlml5203pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 25596
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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25+0.7 EUR
40+0.44 EUR
100+0.24 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML5203_DataSheet_v01_01_EN-3363405.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
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10+0.45 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
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3000+0.15 EUR
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V
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IRLML5203TRPBF Hersteller : HXY MOSFET irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
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IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566868da261d Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml5203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 18246 Stück
60 Stück - stock Köln
18186 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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680 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4070
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RC_series.pdf
680 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 680 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 26826 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 33495 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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BC847C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1253
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BC847C.pdf
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: 8541210090
auf Bestellung 6503 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.012 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 126389 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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