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DMT12H090LFDF4-7

DMT12H090LFDF4-7 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0011929010_1-2543627.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
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Technische Details DMT12H090LFDF4-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 115V, Drain current: 2.7A, On-state resistance: 0.35Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Case: X2-DFN2020-6, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 15A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT12H090LFDF4-7 DMT12H090LFDF4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4.pdf Description: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
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DMT12H090LFDF4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT12H090LFDF4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: X2-DFN2020-6
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMT12H090LFDF4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT12H090LFDF4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: X2-DFN2020-6
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
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