DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.55 EUR |
| 6000+ | 0.51 EUR |
| 9000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMT3008LFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT3008LFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6 Power dissipation: 2.1W Gate charge: 5.8nC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Case: DFN2020-6 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT3008LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMT3008LFDF-7 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 5.8nC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 5.8nC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
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