DMT32M4LPSW-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
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Technische Details DMT32M4LPSW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote DMT32M4LPSW-13 nach Preis ab 1.56 EUR bis 8.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT32M4LPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT32M4LPSW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 31+ | 8.15 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |