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DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated


DMT4002LPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 257500 Stücke:

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Technische Details DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT4002LPS.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
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DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT4002LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 259780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 Hersteller : Diodes Inc 1627dmt4002lps.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMT4002LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT4002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT4002LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT4002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
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