DMT4008LFDF-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMT4008LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm.
Weitere Produktangebote DMT4008LFDF-7 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT4008LFDF-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm |
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DMT4008LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT4008LFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 11.8A; 800mW; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Gate charge: 17.1nC Drain current: 11.8A |
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| DMT4008LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 80+ | 3.12 EUR |
| 167+ | 1.39 EUR |
| 236+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| DMT4008LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 1497 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.12 EUR |
| 167+ | 1.39 EUR |
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| 500+ | 0.84 EUR |
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| DMT4008LFDF-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 11.8A; 800mW; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Gate charge: 17.1nC
Drain current: 11.8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 11.8A; 800mW; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Gate charge: 17.1nC
Drain current: 11.8A
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