DMT4011LFG-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
| 9000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details DMT4011LFG-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 15.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.
Weitere Produktangebote DMT4011LFG-13 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMT4011LFG-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT4011LFG-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 3841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT4011LFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 15.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMT4011LFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 15.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT4011LFG-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.46 EUR |
| 23+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| DMT4011LFG-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 3841 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.51 EUR |
| 10+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
| DMT4011LFG-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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usEccn: EAR99
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auf Bestellung 54 Stücke:
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| DMT4011LFG-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)