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DMT6007LFG-7

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Produktcode: 212393
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
69+1.04 EUR
76+0.95 EUR
92+0.79 EUR
100+0.73 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.33 EUR
10+2.13 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : Diodes Zetex 1129dmt6007lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Hersteller : Diodes Zetex 1129dmt6007lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
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PBS-17 (KLS1-208-1-17-S)
Produktcode: 110772
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kls1-208-datasheet.pdf
PBS-17 (KLS1-208-1-17-S)
+1
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Гнізда однорядні на плату прямі, 17 контактів, крок 2,54мм, 1A
Stecker/Buchse: Гніздо (розетка)
Schritt: 2,54 mm
Anzahl Reihen: однорядні
Anzahl Kontakte: 17
auf Bestellung 529 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
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