DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.55 EUR |
| 9000+ | 0.48 EUR |
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Technische Details DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 820mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 820mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMT6016LFDF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Weitere Produktangebote DMT6016LFDF-7 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT6016LFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6016LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
auf Bestellung 11550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6016LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 820mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMT6016LFDF productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6016LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 820mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 820mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UDFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMT6016LFDF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6016LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.09 EUR |
| 10+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| DMT6016LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
auf Bestellung 11550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.2 EUR |
| 16+ | 1.37 EUR |
| 25+ | 1.15 EUR |
| 50+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| DMT6016LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 820mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMT6016LFDF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 820mW
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Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMT6016LFDF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.2 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 190+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1500+ | 1.08 EUR |
| DMT6016LFDF-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 820mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 820mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMT6016LFDF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 820mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 820mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMT6016LFDF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.2 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 190+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1500+ | 1.08 EUR |